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GeneSiC Semiconductor 1N1200A
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
N.º de pieza del fabricante :1N1200A
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :1N1200A-DS
Ficha de datos :
1N1200A Ficha de datos
1N1200A Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 5.0850 | $ 5.09 |
| 10+ | $ 4.5810 | $ 45.81 |
| 25+ | $ 4.0320 | $ 100.8 |
| 100+ | $ 3.6900 | $ 369 |
| 250+ | $ 3.3840 | $ 846 |
En stock: 4119
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 5.085
Total :$ 5.08
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1N1200A información
GeneSiC Semiconductor 1N1200A especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
- パッケージ/ケース:DO-203AA, DO-4, Stud
- サプライヤーデバイスパッケージ:DO-4
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):12A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 12 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 50 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):100 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-65°C ~ 200°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
1N1200A fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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