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STMicroelectronics STGWA80H65DFB
IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
N.º de pieza del fabricante :STGWA80H65DFB
Fabricante :STMicroelectronics
Dasenic Número de pieza :STGWA80H65DFB-DS
Ficha de datos :
STGWA80H65DFB Ficha de datos
STGWA80H65DFB Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 9.0000 | $ 90 |
| 600+ | $ 7.5000 | $ 4500 |
En stock: 1968
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
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STGWA80H65DFB información
STMicroelectronics STGWA80H65DFB especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:469 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247 Long Leads
- 逆回復時間 (trr):85 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):120 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):650 V
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2V @ 15V, 80A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):240 A
- エネルギーの切り替え:2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
- ゲートチャージ:414 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:84ns/280ns
- テスト条件:400V, 80A, 10Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
STGWA80H65DFB fornecido por STMicroelectronics
1987年に設立されたSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM）は、日常生活の中心となる電子機器を動かすインテリジェントでエネルギー効率に優れた製品とソリューションを提供する世界的半導体リーダーです。STは、マイクロコントローラ、デジタルおよびアナログ集積回路、電源管理デバイス、MEMSセンサ、イメージングおよびオーディオソリューション、ワイヤレス接続ソリューションなど、幅広い半導体製品とソリューションの大手サプライヤーです。当社の技術は、よりスマートなモビリティ、より効率的な電力およびエネルギー管理、モノのインターネットおよび5G技術の広範な展開を可能にします。当社は、10万社のお客様と数千社のパートナーと協力して、お客様の課題と機会、そしてより持続可能な世界をサポートするニーズに対応する製品、ソリューション、エコシステムを設計および構築しています。STは、スイスのジュネーブに本社を置き、35か国以上で事業を展開する多国籍企業です。
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