Las imágenes son sólo para referencia.
1 : $0.6930
El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !
GeneSiC Semiconductor GBL06
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL
N.º de pieza del fabricante :GBL06
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :GBL06-DS
Ficha de datos :
GBL06 Ficha de datos
GBL06 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.6930 | $ 0.69 |
| 10+ | $ 0.4644 | $ 4.64 |
| 100+ | $ 0.6930 | $ 69.3 |
| 825+ | $ 0.2359 | $ 194.62 |
| 1650+ | $ 0.2165 | $ 357.23 |
En stock: 11356
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0.693
Total :$ 0.69
Entrega :
Pago :
Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.
Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.
Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.
Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.
GBL06 información
GeneSiC Semiconductor GBL06 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:4-SIP, GBL
- Tecnología:Standard
- Paquete de dispositivo del proveedor:GBL
- Tipo de diodo:Single Phase
- Voltaje - Pico inverso (máximo):600 V
- Corriente - Promedio Rectificado ( Io):4 A
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.1 V @ 4 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:5 µA @ 600 V
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.10.0080
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBL06 fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor es una empresa pionera y líder mundial en tecnología de carburo de silicio (SiC). Los principales fabricantes mundiales dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan a menor temperatura, más rápido y de forma más económica, y desempeñan un papel fundamental en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia. GeneSiC posee patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha, un mercado que se prevé que alcance más de 5000 millones de dólares en 2025. Nuestras principales fortalezas de diseño, proceso y tecnología añaden más valor al producto final de nuestros clientes, con métricas de rendimiento y costes que establecen nuevos estándares en la industria del carburo de silicio. En agosto de 2022, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunció la adquisición de GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Productos relacionados
Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.
