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Tagore Technology TA9310E
PA RF GAN PWR 20W .03-4GHZ 32V
N.º de pieza del fabricante :TA9310E
Fabricante :Tagore Technology
Dasenic Número de pieza :TA9310E-DS
Ficha de datos :
TA9310E Ficha de datos
TA9310E Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : PA RF GAN PWR 20W .03-4GHZ 32V
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 99.9800 | $ 99.98 |
| 100+ | $ 99.9750 | $ 9997.5 |
En stock: 1513
MOQ :1 PCS
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TA9310E información
Tagore Technology TA9310E especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- 製品ステータス:Active
- 電圧 - 定格:120 V
- パッケージ/ケース:8-VDFN Exposed Pad
- 頻度:30MHz ~ 4GHz
- 定格電流（アンペア）:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-QFN (5x6)
- 電力 - 出力:20W
- トランジスタタイプ:GaN HEMT
- 得:17.5dB
- 電圧 - テスト:32 V
- ノイズ指数:-
- 現在 - テスト:100 mA
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:DISC 3A001B3
- HTS 米国:8542.33.0001
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TA9310E fornecido por Tagore Technology
Tagore Technology は、無線周波数 (RF) および電源管理アプリケーション向けの窒化ガリウムオンシリコン (GaN-on-Si) 半導体技術のパイオニアとして 2011 年 1 月に設立されました。当社の高度な独自技術とデバイスは、システム ソリューションの複雑さ、サイズ、重量、消費電力を大幅に削減し、手頃な価格で、シリコン ソリューションと比較して電力変換の性能指数を大幅に向上させます。当社は、米国イリノイ州アーリントン ハイツとインドのコルカタに設計センターを持つファブレス半導体企業です。当社の研究開発チームは、ワイド バンドギャップ技術を活用した革新的なソリューションの開発に専念しており、お客様の RF および電源設計の課題に対処し、5G セルラー インフラストラクチャから消費者、自動車、防衛、セキュリティまで、幅広いアプリケーションの市場投入までの時間を短縮します。当社は、最高の品質と実証済みの高い信頼性を備えた製品を提供するために、主要な半導体ファウンドリやアセンブリ ハウスと提携しています。
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