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Taiwan Semiconductor TSM10N80CZ C0G
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
N.º de pieza del fabricante :TSM10N80CZ C0G
Fabricante :Taiwan Semiconductor
Dasenic Número de pieza :TSM10N80CZ C0G-DS
Ficha de datos :
TSM10N80CZ C0G Ficha de datos
TSM10N80CZ C0G Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 10.9600 | $ 10.96 |
| 5+ | $ 9.8600 | $ 49.3 |
| 25+ | $ 8.7200 | $ 218 |
| 100+ | $ 7.8400 | $ 784 |
En stock: 1682
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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TSM10N80CZ C0G información
Taiwan Semiconductor TSM10N80CZ C0G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220
- 消費電力（最大）:290W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):800 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:9.5A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.05Ohm @ 4.75A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:53 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2336 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
TSM10N80CZ C0G fornecido por Taiwan Semiconductor
1979 年に設立された台湾セミコンダクターは、地元の製造業者として始まり、1,500 人の従業員を擁するグローバル企業に成長しました。同社は台湾証券取引所に上場しています。台湾セミコンダクターは、ディスクリート パワー整流器のコア コンピタンスとして 40 年以上にわたり認められており、トレンチ ショットキー、MOSFET、パワー トランジスタ、LED ドライバ IC、アナログ IC、ESD 保護デバイスを含む製品ポートフォリオを拡大し、現在ではワンストップで完全なソリューションを提供しています。これらの製品は、自動車、コンピューター、消費者、産業、通信、太陽光発電など、エレクトロニクス業界のさまざまなアプリケーションで使用されています。台湾セミコンダクターの中国と台湾の生産施設は、現在の自動車および環境基準に完全に準拠しています。世界 13 か所に営業所があり、アジア、ヨーロッパ、アメリカのお客様に便利にサービスを提供しています。
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