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Taiwan Semiconductor TSM6502CR RLG
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
N.º de pieza del fabricante :TSM6502CR RLG
Fabricante :Taiwan Semiconductor
Dasenic Número de pieza :TSM6502CR RLG-DS
Ficha de datos :
TSM6502CR RLG Ficha de datos
TSM6502CR RLG Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.9000 | $ 0.9 |
| 10+ | $ 0.7389 | $ 7.39 |
| 100+ | $ 0.5742 | $ 57.42 |
| 500+ | $ 0.4869 | $ 243.45 |
| 1000+ | $ 0.3969 | $ 396.9 |
En stock: 9662
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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TSM6502CR RLG información
Taiwan Semiconductor TSM6502CR RLG especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
- パワー - 最大:40W
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-PDFN (5x6)
- F E Tタイプ:N and P-Channel
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:24A (Tc), 18A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TSM6502CR RLG fornecido por Taiwan Semiconductor
1979 年に設立された台湾セミコンダクターは、地元の製造業者として始まり、1,500 人の従業員を擁するグローバル企業に成長しました。同社は台湾証券取引所に上場しています。台湾セミコンダクターは、ディスクリート パワー整流器のコア コンピタンスとして 40 年以上にわたり認められており、トレンチ ショットキー、MOSFET、パワー トランジスタ、LED ドライバ IC、アナログ IC、ESD 保護デバイスを含む製品ポートフォリオを拡大し、現在ではワンストップで完全なソリューションを提供しています。これらの製品は、自動車、コンピューター、消費者、産業、通信、太陽光発電など、エレクトロニクス業界のさまざまなアプリケーションで使用されています。台湾セミコンダクターの中国と台湾の生産施設は、現在の自動車および環境基準に完全に準拠しています。世界 13 か所に営業所があり、アジア、ヨーロッパ、アメリカのお客様に便利にサービスを提供しています。
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