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Texas Instruments CSD13383F4

MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :CSD13383F4
Fabricante :Texas Instruments
Dasenic Número de pieza :CSD13383F4-DS
Referencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 0.3150$ 0.32
10+$ 0.2034$ 2.03
100+$ 0.0873$ 8.73
1000+$ 0.0792$ 79.2
3000+$ 0.0657$ 197.1
En stock: 47429
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0.315
Total :$ 0.32
Entrega :
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Pago :
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CSD13383F4 información

  • Texas Instruments CSD13383F4 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:3-XFDFN
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:3-PICOSTAR
  • 消費電力(最大):500mW (Ta)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):12 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:2.9A (Ta)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:44mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:1.25V @ 250µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:2.6 nC @ 4.5 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:291 pF @ 6 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):2.5V, 4.5V
  • Vgs (最大):±10V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.21.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
CSD13383F4 fornecido por Texas Instruments
1930 年に設立された Texas Instruments (Nasdaq: TXN) は、アナログおよび組み込み処理チップの設計、製造、テスト、販売を行う世界的な半導体企業です。TI の製品は、低消費電力、低コストのデバイスから高性能の専用ソリューションまで多岐にわたります。マイクロコントローラ、アナログ/デジタル コンバータ (ADC)、デジタル/アナログ コンバータ (DAC)、オペアンプ、電源管理 IC など、約 80,000 種類の製品を取り揃え、産業、自動車、パーソナル エレクトロニクス、通信機器、エンタープライズ システムなどの市場に進出する 100,000 社以上のお客様が、電力を効率的に管理し、データを正確に感知して送信し、設計の中核となる制御や処理を提供するのを支援しています。TI は、世界各地に所有され、地域的に多様な社内製造業務を長年にわたって展開しており、世界中に 15 の製造拠点、12 のウェーハ工場、7 つの組み立ておよびテスト工場、複数のバンプおよびプローブ施設を有しています。
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