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Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
N.º de pieza del fabricante :2SK3309(TE24L,Q)
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :2SK3309(TE24L,Q)-DS
Ficha de datos :
2SK3309(TE24L,Q) Ficha de datos
2SK3309(TE24L,Q) Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 3.8264 | $ 38.26 |
| 1000+ | $ 2.5509 | $ 2550.9 |
| 2000+ | $ 2.4233 | $ 4846.6 |
| 5000+ | $ 2.3322 | $ 11661 |
En stock: 58
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 3.8264
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2SK3309(TE24L,Q) información
Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309(TE24L,Q) especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220SM
- 消費電力（最大）:65W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):450 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:10A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:650mOhm @ 5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:5V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:23 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:920 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
2SK3309(TE24L,Q) fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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