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Toshiba Semiconductor and Storage GT30J121(Q)

IGBT 600V 30A 170W TO3PN
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :GT30J121(Q)
Dasenic Número de pieza :GT30J121(Q)-DS
Referencia de cliente :
Descripción : IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
200+$ 0.9989$ 199.78
300+$ 0.9890$ 296.7
500+$ 0.9795$ 489.75
1000+$ 0.9578$ 957.8
En stock: 1700
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0.9989
Total :$ 1.00
Entrega :
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Pago :
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GT30J121(Q) información

  • Toshiba Semiconductor and Storage GT30J121(Q) especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3
  • 入力タイプ:Standard
  • パワー - 最大:170 W
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3P(N)
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 電流 - コレクター ( Ic) (最大):30 A
  • 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
  • I G B Tタイプ:-
  • Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.45V @ 15V, 30A
  • 電流 - コレクタパルス ( Icm):60 A
  • エネルギーの切り替え:1mJ (on), 800µJ (off)
  • ゲートチャージ:-
  • Td (オン/オフ) @ 25° C:90ns/300ns
  • テスト条件:300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GT30J121(Q) fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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