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Toshiba Semiconductor and Storage GT30N135SRA,S1E
N.º de pieza del fabricante :GT30N135SRA,S1E
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :GT30N135SRA,S1E-DS
Ficha de datos : GT30N135SRA,S1E Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
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En stock: 11112
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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GT30N135SRA,S1E información
Toshiba Semiconductor and Storage GT30N135SRA,S1E especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:348 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):60 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1350 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.6V @ 15V, 60A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):120 A
- エネルギーの切り替え:-, 1.3mJ (off)
- ゲートチャージ:270 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:300V, 60A, 39Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GT30N135SRA,S1E fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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