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Toshiba Semiconductor and Storage GT30N135SRA,S1E

D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :GT30N135SRA,S1E
Dasenic Número de pieza :GT30N135SRA,S1E-DS
Referencia de cliente :
Descripción : D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 4.4010$ 4.4
10+$ 2.8647$ 28.65
30+$ 4.4010$ 132.03
120+$ 1.9610$ 235.32
270+$ 1.7704$ 478.01
En stock: 11112
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 4.401
Total :$ 4.40
Entrega :
dhlupsfedex
Pago :
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GT30N135SRA,S1E información

  • Toshiba Semiconductor and Storage GT30N135SRA,S1E especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:175°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-247-3
  • 入力タイプ:Standard
  • パワー - 最大:348 W
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 電流 - コレクター ( Ic) (最大):60 A
  • 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1350 V
  • I G B Tタイプ:-
  • Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.6V @ 15V, 60A
  • 電流 - コレクタパルス ( Icm):120 A
  • エネルギーの切り替え:-, 1.3mJ (off)
  • ゲートチャージ:270 nC
  • Td (オン/オフ) @ 25° C:-
  • テスト条件:300V, 60A, 39Ohm, 15V
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GT30N135SRA,S1E fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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