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Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q)
IGBT 400V 600MW 8TSSOP
N.º de pieza del fabricante :GT8G133(TE12L,Q)
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :GT8G133(TE12L,Q)-DS
Ficha de datos :
GT8G133(TE12L,Q) Ficha de datos
GT8G133(TE12L,Q) Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 3.5496 | $ 35.5 |
| 3000+ | $ 1.9720 | $ 5916 |
| 6000+ | $ 1.8978 | $ 11386.8 |
| 9000+ | $ 1.8350 | $ 16515 |
En stock: 58
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 3.5496
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GT8G133(TE12L,Q) información
Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q) especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:600 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-TSSOP
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):-
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):400 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.9V @ 4V, 150A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):150 A
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:-
- Td (オン/オフ) @ 25° C:1.7µs/2µs
- テスト条件:-
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GT8G133(TE12L,Q) fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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