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Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR(TE85L,F
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
N.º de pieza del fabricante :HN3C51F-GR(TE85L,F
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :HN3C51F-GR(TE85L,F-DS
Ficha de datos :
HN3C51F-GR(TE85L,F Ficha de datos
HN3C51F-GR(TE85L,F Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 0.3557 | $ 3.56 |
| 3000+ | $ 0.2371 | $ 711.3 |
| 6000+ | $ 0.2273 | $ 1363.8 |
| 9000+ | $ 0.2045 | $ 1840.5 |
| 30000+ | $ 0.2015 | $ 6045 |
En stock: 43
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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HN3C51F-GR(TE85L,F información
Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR(TE85L,F especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SC-74, SOT-457
- パワー - 最大:300mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:SM6
- トランジスタタイプ:2 NPN (Dual)
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):120V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 1mA, 10mA
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:100nA (ICBO)
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:200 @ 2mA, 6V
- 周波数 - 遷移:100MHz
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0075
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
HN3C51F-GR(TE85L,F fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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