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Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV,L3F

Name: RN1101MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: DS-6110795
Price: 0.0857 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

N.º de pieza del fabricante :RN1101MFV,L3F

Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage

Dasenic Número de pieza :RN1101MFV,L3F-DS

Ficha de datos :

RN1101MFV,L3F Ficha de datos

Referencia de cliente :

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Descripción : TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

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10+	$ 0.0857	$ 0.86
8000+	$ 0.0476	$ 380.8
16000+	$ 0.0426	$ 681.6
24000+	$ 0.0476	$ 1142.4
40000+	$ 0.0373	$ 1492

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RN1101MFV,L3F información

Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV,L3F especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
製品ステータス:Not For New Designs
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:SOT-723
パワー - 最大:150 mW
サプライヤーデバイスパッケージ:VESM
トランジスタタイプ:NPN - Pre-Biased
電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 mA
電圧 - コレクターエミッター破壊 (最大):50 V
Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 500µA, 5mA
電流 - コレクターカットオフ（最大）:500nA
D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:30 @ 10mA, 5V
周波数 - 遷移:-
抵抗器 - ベース ( R1):4.7 kOhms
抵抗器 - エミッタベース ( R2):4.7 kOhms
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.21.0095
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

Descargar hojas de datos y documentación del fabricante para Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV,L3F
Datasheet:
RN1101MFV,L3F,

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FedEx	3-7 business days
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RN1101MFV,L3F fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage

東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワークアプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテンアメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。