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Toshiba Semiconductor and Storage RN1426TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
N.º de pieza del fabricante :RN1426TE85LF
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :RN1426TE85LF-DS
Ficha de datos :
RN1426TE85LF Ficha de datos
RN1426TE85LF Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.3420 | $ 0.34 |
| 10+ | $ 0.2223 | $ 2.22 |
| 100+ | $ 0.1449 | $ 14.49 |
| 500+ | $ 0.1107 | $ 55.35 |
| 1000+ | $ 0.1089 | $ 108.9 |
En stock: 12884
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Total :$ 0.34
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RN1426TE85LF información
Toshiba Semiconductor and Storage RN1426TE85LF especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- パワー - 最大:200 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:S-Mini
- トランジスタタイプ:NPN - Pre-Biased
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):800 mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:250mV @ 1mA, 50mA
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:500nA
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:90 @ 100mA, 1V
- 周波数 - 遷移:300 MHz
- 抵抗器 - ベース ( R1):1 kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):10 kOhms
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0075
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RN1426TE85LF fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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