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Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE,LF(CT
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
N.º de pieza del fabricante :RN1903FE,LF(CT
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :RN1903FE,LF(CT-DS
Ficha de datos :
RN1903FE,LF(CT Ficha de datos
RN1903FE,LF(CT Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.1530 | $ 0.15 |
| 10+ | $ 0.0972 | $ 0.97 |
| 100+ | $ 0.0432 | $ 4.32 |
| 1000+ | $ 0.0351 | $ 35.1 |
| 4000+ | $ 0.0351 | $ 140.4 |
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MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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RN1903FE,LF(CT información
Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE,LF(CT especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
- パワー - 最大:100mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:ES6
- トランジスタタイプ:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 250µA, 5mA
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:500nA
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:70 @ 10mA, 5V
- 周波数 - 遷移:250MHz
- 抵抗器 - ベース ( R1):22kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):22kOhms
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0075
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RN1903FE,LF(CT fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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