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Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H16TU,LF
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
N.º de pieza del fabricante :SSM5H16TU,LF
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :SSM5H16TU,LF-DS
Ficha de datos :
SSM5H16TU,LF Ficha de datos
SSM5H16TU,LF Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.4950 | $ 0.5 |
| 10+ | $ 0.3195 | $ 3.2 |
| 100+ | $ 0.2025 | $ 20.25 |
| 500+ | $ 0.1575 | $ 78.75 |
| 1000+ | $ 0.1341 | $ 134.1 |
En stock: 7777
MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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SSM5H16TU,LF información
Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H16TU,LF especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:UFV
- 消費電力（最大）:500mW (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:Schottky Diode (Isolated)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:1.9A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:133mOhm @ 1A, 4V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:1.9 nC @ 4 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:123 pF @ 15 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:1.8V, 4V
- Vgs (最大):±12V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SSM5H16TU,LF fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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