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Toshiba Semiconductor and Storage TK2P60D(TE16L1,NQ)
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
N.º de pieza del fabricante :TK2P60D(TE16L1,NQ)
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :TK2P60D(TE16L1,NQ)-DS
Ficha de datos :
TK2P60D(TE16L1,NQ) Ficha de datos
TK2P60D(TE16L1,NQ) Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 190+ | $ 0.1238 | $ 23.52 |
| 1000+ | $ 0.1238 | $ 123.8 |
| 10000+ | $ 0.1238 | $ 1238 |
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MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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TK2P60D(TE16L1,NQ) información
Toshiba Semiconductor and Storage TK2P60D(TE16L1,NQ) especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PW-MOLD
- 消費電力（最大）:60W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:2A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4.3Ohm @ 1A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4.4V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:7 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:280 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
TK2P60D(TE16L1,NQ) fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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