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Toshiba Semiconductor and Storage TK9A90E,S4X

MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :TK9A90E,S4X
Dasenic Número de pieza :TK9A90E,S4X-DS
Referencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 2.1870$ 2.19
10+$ 2.0430$ 20.43
25+$ 2.0250$ 50.63
50+$ 1.1610$ 58.05
100+$ 1.1070$ 110.7
En stock: 1524
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 2.187
Total :$ 2.19
Entrega :
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Pago :
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TK9A90E,S4X información

  • Toshiba Semiconductor and Storage TK9A90E,S4X especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220SIS
  • 消費電力(最大):50W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):900 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:9A (Ta)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.3Ohm @ 4.5A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 900µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:46 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2000 pF @ 25 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
  • Vgs (最大):±30V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TK9A90E,S4X fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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