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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M)
MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
N.º de pieza del fabricante :TPC6012(TE85L,F,M)
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :TPC6012(TE85L,F,M)-DS
Ficha de datos :
TPC6012(TE85L,F,M) Ficha de datos
TPC6012(TE85L,F,M) Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 0.8463 | $ 8.46 |
| 3000+ | $ 0.5642 | $ 1692.6 |
| 6000+ | $ 0.5345 | $ 3207 |
| 9000+ | $ 0.4949 | $ 4454.1 |
| 30000+ | $ 0.4870 | $ 14610 |
En stock: 42
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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TPC6012(TE85L,F,M) información
Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M) especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Last Time Buy
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:VS-6 (2.9x2.8)
- 消費電力（最大）:700mW (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:20mOhm @ 3A, 4.5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1.2V @ 200µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9 nC @ 5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:630 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:2.5V, 4.5V
- Vgs (最大):±12V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
TPC6012(TE85L,F,M) fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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