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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6109-H(TE85L,FM
MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
N.º de pieza del fabricante :TPC6109-H(TE85L,FM
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :TPC6109-H(TE85L,FM-DS
Ficha de datos :
TPC6109-H(TE85L,FM Ficha de datos
TPC6109-H(TE85L,FM Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 0.9024 | $ 9.02 |
| 3000+ | $ 0.6016 | $ 1804.8 |
| 6000+ | $ 0.5699 | $ 3419.4 |
| 9000+ | $ 0.5277 | $ 4749.3 |
| 30000+ | $ 0.5193 | $ 15579 |
En stock: 29
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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TPC6109-H(TE85L,FM información
Toshiba Semiconductor and Storage TPC6109-H(TE85L,FM especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:VS-6 (2.9x2.8)
- 消費電力（最大）:700mW (Ta)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:5A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:59mOhm @ 2.5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1.2V @ 200µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:12.3 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:490 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
TPC6109-H(TE85L,FM fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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