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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8035-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
N.º de pieza del fabricante :TPC8035-H(TE12L,QM
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :TPC8035-H(TE12L,QM-DS
Ficha de datos :
TPC8035-H(TE12L,QM Ficha de datos
TPC8035-H(TE12L,QM Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 2.3132 | $ 23.13 |
| 3000+ | $ 1.5421 | $ 4626.3 |
| 6000+ | $ 1.4841 | $ 8904.6 |
| 9000+ | $ 1.4262 | $ 12835.8 |
En stock: 38
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
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TPC8035-H(TE12L,QM información
Toshiba Semiconductor and Storage TPC8035-H(TE12L,QM especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP (5.5x6.0)
- 消費電力（最大）:1W (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:18A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3.2mOhm @ 9A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.3V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:82 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:7800 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
TPC8035-H(TE12L,QM fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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