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Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R806PL,L1Q

Name: TPN4R806PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: DS-6158436
Price: 1.089 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON

N.º de pieza del fabricante :TPN4R806PL,L1Q

Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage

Dasenic Número de pieza :TPN4R806PL,L1Q-DS

Ficha de datos :

TPN4R806PL,L1Q Ficha de datos

Referencia de cliente :

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Descripción : MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON

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Cantidad	Precio unitario	Total
1+	$ 1.0890	$ 1.09
10+	$ 0.7083	$ 7.08
100+	$ 0.4815	$ 48.15
500+	$ 0.3816	$ 190.8
1000+	$ 0.3222	$ 322.2

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TPN4R806PL,L1Q información

Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R806PL,L1Q especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:175°C
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-TSON Advance (3.1x3.1)
消費電力（最大）:630mW (Ta), 104W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:72A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 300µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:29 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2770 pF @ 30 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

Descargar hojas de datos y documentación del fabricante para Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R806PL,L1Q
Datasheet:
TPN4R806PL,L1Q,

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TPN4R806PL,L1Q fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage

東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワークアプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテンアメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。