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Toshiba Semiconductor and Storage XK1R9F10QB,LXGQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
N.º de pieza del fabricante :XK1R9F10QB,LXGQ
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :XK1R9F10QB,LXGQ-DS
Ficha de datos :
XK1R9F10QB,LXGQ Ficha de datos
XK1R9F10QB,LXGQ Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 2.3625 | $ 23.63 |
| 1000+ | $ 1.5750 | $ 1575 |
En stock: 13032
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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XK1R9F10QB,LXGQ información
Toshiba Semiconductor and Storage XK1R9F10QB,LXGQ especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220SM(W)
- 消費電力（最大）:375W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:160A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.92mOhm @ 80A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:184 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:11500 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
XK1R9F10QB,LXGQ fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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