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Vishay SI4922BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
N.º de pieza del fabricante :SI4922BDY-T1-GE3
Fabricante :Vishay
Dasenic Número de pieza :SI4922BDY-T1-GE3-DS
Ficha de datos :
SI4922BDY-T1-GE3 Ficha de datos
SI4922BDY-T1-GE3 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 2.1330 | $ 2.13 |
| 10+ | $ 1.3689 | $ 13.69 |
| 100+ | $ 2.1330 | $ 213.3 |
| 500+ | $ 0.7468 | $ 373.4 |
| 1000+ | $ 0.6868 | $ 686.8 |
En stock: 7365
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 2.133
Total :$ 2.13
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SI4922BDY-T1-GE3 información
Vishay SI4922BDY-T1-GE3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- パワー - 最大:3.1W
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:16mOhm @ 5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1.8V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:62nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2070pF @ 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SI4922BDY-T1-GE3 fornecido por Vishay
Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場している Fortune 1000 企業であり、個別半導体 (ダイオード、整流器、MOSFET、オプトエレクトロニクス、および特定の IC) と受動電子部品 (抵抗器、インダクタ、およびコンデンサ) を製造する世界最大手の企業の 1 つです。これらの部品は、産業、コンピューティング、自動車、消費者、通信、軍事、航空宇宙、電源、および医療市場におけるほぼすべての種類の電子デバイスおよび機器で使用されています。Vishay は、製品の革新、成功した買収戦略、および「ワンストップ ショップ」サービスにより、世界的な業界リーダーとなっています。
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