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Vishay SQJB90EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
N.º de pieza del fabricante :SQJB90EP-T1_GE3
Fabricante :Vishay
Dasenic Número de pieza :SQJB90EP-T1_GE3-DS
Ficha de datos :
SQJB90EP-T1_GE3 Ficha de datos
SQJB90EP-T1_GE3 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 1.3140 | $ 1.31 |
| 10+ | $ 0.8892 | $ 8.89 |
| 100+ | $ 0.7065 | $ 70.65 |
| 500+ | $ 0.5877 | $ 293.85 |
| 1000+ | $ 0.5094 | $ 509.4 |
En stock: 32897
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.314
Total :$ 1.31
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SQJB90EP-T1_GE3 información
Vishay SQJB90EP-T1_GE3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:PowerPAK® SO-8 Dual
- パワー - 最大:48W
- サプライヤーデバイスパッケージ:PowerPAK® SO-8 Dual
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):80V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:30A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:21.5mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:25nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1200pF @ 25V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SQJB90EP-T1_GE3 fornecido por Vishay
Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場している Fortune 1000 企業であり、個別半導体 (ダイオード、整流器、MOSFET、オプトエレクトロニクス、および特定の IC) と受動電子部品 (抵抗器、インダクタ、およびコンデンサ) を製造する世界最大手の企業の 1 つです。これらの部品は、産業、コンピューティング、自動車、消費者、通信、軍事、航空宇宙、電源、および医療市場におけるほぼすべての種類の電子デバイスおよび機器で使用されています。Vishay は、製品の革新、成功した買収戦略、および「ワンストップ ショップ」サービスにより、世界的な業界リーダーとなっています。
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