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WeEn Semiconductors BT151Y-650LTFQ
N.º de pieza del fabricante :BT151Y-650LTFQ
Fabricante :WeEn Semiconductors
Dasenic Número de pieza :BT151Y-650LTFQ-DS
Ficha de datos : BT151Y-650LTFQ Ficha de datos
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Descripción : PLANAR PASSIVATED SILICON CONTRO
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BT151Y-650LTFQ información
WeEn Semiconductors BT151Y-650LTFQ especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Thyristors - SCRs
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Isolated Tab
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220AB
- 電流 - 保持 ( Ih) (最大):20 mA
- 電圧 - オフ状態:650 V
- 電流 - オン状態 ( It ( A V)) (最大):7.5 A
- 電流 - オン状態 ( It ( R M S)) (最大):12 A
- 電圧 - ゲートトリガー ( Vgt) (最大):1 V
- 電流 - ゲートトリガー ( Igt) (最大):5 mA
- 電流 - 非反復サージ 50、60 Hz ( Itsm):120A, 132A
- 電圧 - オン状態 ( Vtm) (最大):1.5 V
- 電流 - オフ状態 (最大):10 µA
- S C Rタイプ:Standard Recovery
- 基本製品番号:BT151
- パッケージ:Tube
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.30.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BT151Y-650LTFQ fornecido por WeEn Semiconductors
2015年に会社として登録され、半導体の開発と製造で50年以上の実績を持つWeEn Semiconductors Co., Ltdは、シリコンカーバイドパワーデバイス、シリコン制御整流器とトライアック、標準および高速回復パワーダイオード、TVSおよびESD保護デバイス、IGBTとモジュールなど、業界をリードする幅広く充実したパワー製品のポートフォリオの開発に注力してきました。これらの製品はすべて、通信、コンピューター、消費者向け電子機器、インテリジェント家電、照明、自動車、電源管理アプリケーションの市場で広く使用されています。WeEnは、中国、ヨーロッパ、アジア太平洋、南北アメリカにグローバルな営業所を持ち、それぞれの業界セグメントでお客様に信頼性の高い専門的な技術サポートを提供しています。
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