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WeEn Semiconductors NXPSC04650D6J
DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
N.º de pieza del fabricante :NXPSC04650D6J
Fabricante :WeEn Semiconductors
Dasenic Número de pieza :NXPSC04650D6J-DS
Ficha de datos :
NXPSC04650D6J Ficha de datos
NXPSC04650D6J Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 5.1200 | $ 5.12 |
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MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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NXPSC04650D6J información
WeEn Semiconductors NXPSC04650D6J especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- サプライヤーデバイスパッケージ:DPAK
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):4A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 4 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:170 µA @ 650 V
- 静電容量 @ Vr、 F:130pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:175°C (Max)
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
NXPSC04650D6J fornecido por WeEn Semiconductors
2015年に会社として登録され、半導体の開発と製造で50年以上の実績を持つWeEn Semiconductors Co., Ltdは、シリコンカーバイドパワーデバイス、シリコン制御整流器とトライアック、標準および高速回復パワーダイオード、TVSおよびESD保護デバイス、IGBTとモジュールなど、業界をリードする幅広く充実したパワー製品のポートフォリオの開発に注力してきました。これらの製品はすべて、通信、コンピューター、消費者向け電子機器、インテリジェント家電、照明、自動車、電源管理アプリケーションの市場で広く使用されています。WeEnは、中国、ヨーロッパ、アジア太平洋、南北アメリカにグローバルな営業所を持ち、それぞれの業界セグメントでお客様に信頼性の高い専門的な技術サポートを提供しています。
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