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Wolfspeed C2M0160120D
N.º de pieza del fabricante :C2M0160120D
Fabricante :Wolfspeed
Dasenic Número de pieza :C2M0160120D-DS
Ficha de datos : C2M0160120D Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3 TO-247-3
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
En stock: 7221
MOQ :1 PCS
Paquete :TO-247-3
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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C2M0160120D información
Wolfspeed C2M0160120D especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Not For New Designs
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
- 消費電力(最大):125W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:19A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:196mOhm @ 10A, 20V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 500µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:32.6 nC @ 20 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:527 pF @ 800 V
- 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):20V
- Vgs (最大):+25V, -10V
C2M0160120D fornecido por Wolfspeed
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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