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Wolfspeed C3M0040120J1-TR
N.º de pieza del fabricante :C3M0040120J1-TR
Fabricante :Wolfspeed
Dasenic Número de pieza :C3M0040120J1-TR-DS
Ficha de datos : C3M0040120J1-TR Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : 1200V 40 M SIC MOSFET
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Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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C3M0040120J1-TR información
Wolfspeed C3M0040120J1-TR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-7
- 消費電力(最大):272W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:64A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:53.5mOhm @ 33.3A, 15V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.6V @ 9.2mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:94 nC @ 15 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2900 pF @ 1000 V
- 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):15V
- Vgs (最大):+15V, -4V
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
C3M0040120J1-TR fornecido por Wolfspeed
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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