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Wolfspeed C3M0060065D
SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
N.º de pieza del fabricante :C3M0060065D
Fabricante :Wolfspeed
Dasenic Número de pieza :C3M0060065D-DS
Ficha de datos :
C3M0060065D Ficha de datos
C3M0060065D Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 7.2090 | $ 7.21 |
| 10+ | $ 6.0840 | $ 60.84 |
| 50+ | $ 5.6880 | $ 284.4 |
| 100+ | $ 5.3010 | $ 530.1 |
| 200+ | $ 5.0670 | $ 1013.4 |
En stock: 6480
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 7.209
Total :$ 7.21
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C3M0060065D información
Wolfspeed C3M0060065D especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:TO-247-3
- Tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-247-3
- Disipación de potencia (máxima):150W (Tc)
- Tipo F E T:N-Channel
- Función F E T:-
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):650 V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:37A (Tc)
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:79mOhm @ 13.2A, 15V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:3.6V @ 5mA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:46 nC @ 15 V
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1020 pF @ 600 V
- Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):15V
- Vgs (máximo):+15V, -4V
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.29.0095
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
C3M0060065D fornecido por Wolfspeed
Wolfspeed es una empresa de semiconductores líder centrada en las tecnologías de carburo de silicio y GaN. Lideramos la transformación del silicio al carburo de silicio (SiC) y GaN a medida que damos forma al futuro de los mercados de semiconductores: la transición a vehículos eléctricos, el paso a redes 5G más rápidas, la evolución de la energía renovable y el almacenamiento de energía, y el avance de las aplicaciones industriales. Después de más de 35 años de forjar la adopción y transformación de nuevas tecnologías, nuestros semiconductores de potencia y radiofrecuencia (RF) Wolfspeed® lideran la industria gracias a una experiencia y una capacidad inigualables.
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