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Wolfspeed C3M0120065J

650V 120M SIC MOSFET
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :C3M0120065J
Fabricante :Wolfspeed
Dasenic Número de pieza :C3M0120065J-DS
Referencia de cliente :
Descripción : 650V 120M SIC MOSFET
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 5.5890$ 5.59
10+$ 3.5280$ 35.28
50+$ 3.2400$ 162
100+$ 3.0960$ 309.6
En stock: 4203
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 5.589
Total :$ 5.59
Entrega :
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Pago :
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C3M0120065J información

  • Wolfspeed C3M0120065J especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • Estado del producto:Active
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • Paquete / Caja:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
  • Paquete de dispositivo del proveedor:TO-263-7
  • Disipación de potencia (máxima):86W (Tc)
  • Tipo F E T:N-Channel
  • Función F E T:-
  • Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):650 V
  • Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:21A (Tc)
  • Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:157mOhm @ 6.76A, 15V
  • Vgs(th) ( Máx.) @ Id:3.6V @ 1.86mA
  • Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:26 nC @ 15 V
  • Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:640 pF @ 400 V
  • Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):15V
  • Vgs (máximo):+19V, -8V
  • Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
  • Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • ECCN de EE. UU.:EAR99
  • HTS EE. UU.:8541.29.0095
  • Estado de ALCANCE:REACH is not affected
  • Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
C3M0120065J fornecido por Wolfspeed
Wolfspeed es una empresa de semiconductores líder centrada en las tecnologías de carburo de silicio y GaN. Lideramos la transformación del silicio al carburo de silicio (SiC) y GaN a medida que damos forma al futuro de los mercados de semiconductores: la transición a vehículos eléctricos, el paso a redes 5G más rápidas, la evolución de la energía renovable y el almacenamiento de energía, y el avance de las aplicaciones industriales. Después de más de 35 años de forjar la adopción y transformación de nuevas tecnologías, nuestros semiconductores de potencia y radiofrecuencia (RF) Wolfspeed® lideran la industria gracias a una experiencia y una capacidad inigualables.
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