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Wolfspeed CCB032M12FM3
N.º de pieza del fabricante :CCB032M12FM3
Fabricante :Wolfspeed
Dasenic Número de pieza :CCB032M12FM3-DS
Ficha de datos : CCB032M12FM3 Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : 1200V SIC 6-PACK MODULE
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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CCB032M12FM3 información
Wolfspeed CCB032M12FM3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje:Chassis Mount
- Paquete / Caja:Module
- Potencia - Máxima:10mW
- Paquete de dispositivo del proveedor:-
- Tipo F E T:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Función F E T:Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):1200V (1.2kV)
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:40A
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:42.6mOhm @ 30A, 15V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:3.6V @ 11.5mA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:118nC @ 15V
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:3.4nF @ 800V
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
CCB032M12FM3 fornecido por Wolfspeed
Wolfspeed es una empresa de semiconductores líder centrada en las tecnologías de carburo de silicio y GaN. Lideramos la transformación del silicio al carburo de silicio (SiC) y GaN a medida que damos forma al futuro de los mercados de semiconductores: la transición a vehículos eléctricos, el paso a redes 5G más rápidas, la evolución de la energía renovable y el almacenamiento de energía, y el avance de las aplicaciones industriales. Después de más de 35 años de forjar la adopción y transformación de nuevas tecnologías, nuestros semiconductores de potencia y radiofrecuencia (RF) Wolfspeed® lideran la industria gracias a una experiencia y una capacidad inigualables.
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