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Diodes Incorporated DDTD114TC-7-F
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
N.º de pieza del fabricante :DDTD114TC-7-F
Fabricante :Diodes Incorporated
Dasenic Número de pieza :DDTD114TC-7-F-DS
Ficha de datos :
DDTD114TC-7-F Ficha de datos
DDTD114TC-7-F Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 0.1547 | $ 1.55 |
| 3000+ | $ 0.1031 | $ 309.3 |
| 6000+ | $ 0.0957 | $ 574.2 |
| 9000+ | $ 0.0793 | $ 713.7 |
| 30000+ | $ 0.0779 | $ 2337 |
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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DDTD114TC-7-F información
Diodes Incorporated DDTD114TC-7-F especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- Estado del producto:Obsolete
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Potencia - Máxima:200 mW
- Paquete de dispositivo del proveedor:SOT-23-3
- Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
- Corriente - Colector ( Ic) ( Máx.):500 mA
- Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.):50 V
- Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
- Corriente de corte del colector (máx.):500nA (ICBO)
- Ganancia de corriente continua (h F E) (mín.) a Ic, Vce:100 @ 50mA, 5V
- Frecuencia - Transición:200 MHz
- Resistencia - Base ( R1):10 kOhms
- Resistencia - Base del emisor ( R2):-
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado de ALCANCE:Vendor is not defined
- ECCN de EE. UU.:Provided as per user requirements
- Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
DDTD114TC-7-F fornecido por Diodes Incorporated
Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD) es un fabricante y proveedor líder mundial de productos estándar específicos para aplicaciones de alta calidad dentro de los amplios mercados de semiconductores discretos, lógicos, analógicos y de señal mixta. Diodes atiende a los mercados automotriz, industrial, informático, de electrónica de consumo y de comunicaciones. Nuestra cartera de productos incluye diodos, transistores, MOSFET, dispositivos de protección, lógica, reguladores de voltaje, amplificadores, sensores y dispositivos de administración de energía como convertidores y controladores de LED. También ofrecemos soluciones de sincronización y conectividad. Las instalaciones de fabricación de Diodes cuentan con certificaciones reconocidas internacionalmente en ISO 9001:2015, ISO 14001:2015, IATF 16949:2016 (para productos automotrices) y C-TPAT, lo que subraya nuestro compromiso con el control de calidad superior y mejora nuestra credibilidad como proveedor preferido para los OEM que priorizan la calidad y la consistencia. Con sede en Texas, EE. UU., tenemos centros de diseño, marketing e ingeniería, así como instalaciones en todo el mundo, con oficinas de soporte en todo el mundo.
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