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EPC EPC2029

GANFET N-CH 80V 48A DIE
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :EPC2029
Fabricante :EPC
Dasenic Número de pieza :EPC2029-DS
Ficha de datos :pdf download EPC2029 Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : GANFET N-CH 80V 48A DIE
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
10+$ 4.9006$ 49.01
500+$ 4.0838$ 2041.9
En stock: 54619
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 4.9006
Total :$ 4.90
Entrega :
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Pago :
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Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.

EPC2029 información

  • EPC EPC2029 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • Estado del producto:Active
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • Paquete / Caja:Die
  • Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
  • Paquete de dispositivo del proveedor:Die
  • Disipación de potencia (máxima):-
  • Tipo F E T:N-Channel
  • Función F E T:-
  • Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):80 V
  • Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:48A (Ta)
  • Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:3.2mOhm @ 30A, 5V
  • Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.5V @ 12mA
  • Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:13 nC @ 5 V
  • Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1410 pF @ 40 V
  • Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):5V
  • Vgs (máximo):+6V, -4V
  • Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
  • Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
  • ECCN de EE. UU.:EAR99
  • HTS EE. UU.:8541.29.0040
  • Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
EPC2029 fornecido por EPC
Efficient Power Conversion Corporation (EPC) es una empresa de tecnología de vanguardia dedicada a promover el campo de la electrónica de potencia mediante el desarrollo y la comercialización de dispositivos de potencia basados en nitruro de galio (GaN). EPC fue fundada en 2007 por un equipo de expertos en electrónica de potencia, semiconductores y gestión empresarial. Desde su fundación, EPC se ha convertido en un líder reconocido en la industria, ofreciendo una amplia cartera de transistores de potencia y circuitos integrados basados en GaN listos para usar. Desde 2009, la línea de productos de la empresa se ha expandido rápidamente para incluir una familia creciente de circuitos integrados, dispositivos calificados para automoción y dispositivos de alta resistencia. Nuestros productos se utilizan en una amplia gama de aplicaciones, desde electrónica de consumo y automoción hasta energía renovable y espacio. Hoy en día, empresas líderes de todo el mundo trabajan con EPC para hacer posible sus tecnologías de próxima generación con el poder del GaN.
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