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General Electric GE12047BCA3
1200V 475A SIC DUAL MODULE
N.º de pieza del fabricante :GE12047BCA3
Fabricante :General Electric
Dasenic Número de pieza :GE12047BCA3-DS
Ficha de datos :
GE12047BCA3 Ficha de datos
GE12047BCA3 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : 1200V 475A SIC DUAL MODULE
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 2174.0000 | $ 2174 |
| 10+ | $ 2048.0000 | $ 20480 |
En stock: 1292
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Total :$ 2174.00
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GE12047BCA3 información
General Electric GE12047BCA3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (Tc)
- Tipo de montaje:Chassis Mount
- Paquete / Caja:Module
- Potencia - Máxima:1250W
- Paquete de dispositivo del proveedor:-
- Tipo F E T:2 Independent
- Función F E T:Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):1200V (1.2kV)
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:475A
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:4.4mOhm @ 475A, 20V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4.5V @ 160mA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:1248nC @ 18V
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:29.3nF @ 600V
- Estado RoHS de la UE:The vendor has not updated the RoHS info
- Estado de ALCANCE:REACH is not defined
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.29.0095
- Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GE12047BCA3 fornecido por General Electric
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