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GeneSiC Semiconductor GA100SICP12-227
N.º de pieza del fabricante :GA100SICP12-227
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :GA100SICP12-227-DS
Ficha de datos : GA100SICP12-227 Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV
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En stock: 2041
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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GA100SICP12-227 información
GeneSiC Semiconductor GA100SICP12-227 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Power Driver Modules
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- タイプ:-
- 構成:-
- 電圧:1.2 kV
- 現在:100 A
- 電圧 - 絶縁:-
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GA100SICP12-227 fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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