Las imágenes son sólo para referencia.
1 : $136.5200
El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !
GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247
IGBT 1200V SOT247
N.º de pieza del fabricante :GA35XCP12-247
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :GA35XCP12-247-DS
Ficha de datos :
GA35XCP12-247 Ficha de datos
GA35XCP12-247 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT 1200V SOT247
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 125+ | $ 136.5200 | $ 17065 |
| 250+ | $ 72.0400 | $ 18010 |
| 375+ | $ 49.5400 | $ 18577.5 |
| 500+ | $ 48.5600 | $ 24280 |
En stock: 2537
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 136.52
Total :$ 136.52
Entrega :
Pago :
Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.
Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.
Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.
Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.
GA35XCP12-247 información
GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AB
- 逆回復時間 (trr):36 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):-
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3V @ 15V, 35A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):35 A
- エネルギーの切り替え:2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
- ゲートチャージ:50 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:800V, 35A, 22Ohm, 15V
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GA35XCP12-247 fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Productos relacionados
Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.
