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GeneSiC Semiconductor GBJ35D

Name: GBJ35D
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GBJ35D-DS
Price: 4.9230 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 2665

MOQ: 1

2 Preisstufen

Hersteller Modell :GBJ35D
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :GBJ35D-DS
Dokument : GBJ35D Dokument PDF
Beschreibung : 200V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Verpackung :-
Einzelpreis: $4.9230
Gesamt: $4.92

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GeneSiC Semiconductor GBJ35D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers

製品ステータス:Active

動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)

取り付けタイプ:Through Hole

パッケージ/ケース:4-SIP, GBJ

テクノロジー:Standard

サプライヤーデバイスパッケージ:GBJ

ダイオードタイプ:Single Phase

電圧 - ピーク逆電圧（最大）:200 V

電流 - 平均整流 ( Io):35 A

電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 17.5 A

電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 200 V

基本製品番号:GBJ35

パッケージ:Bulk

EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant

輸出規制分類番号:EAR99

HTS 米国:8541.10.0080

REACH規則:REACH is not affected

中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

GBJ35D bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。