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GeneSiC Semiconductor MBR2X100A180
DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227
N.º de pieza del fabricante :MBR2X100A180
Fabricante :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Número de pieza :MBR2X100A180-DS
Ficha de datos :
MBR2X100A180 Ficha de datos
MBR2X100A180 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 26+ | $ 108.0800 | $ 2810.08 |
| 52+ | $ 103.0800 | $ 5360.16 |
| 104+ | $ 98.5400 | $ 10248.16 |
En stock: 2043
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 108.08
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MBR2X100A180 información
GeneSiC Semiconductor MBR2X100A180 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Estado del producto:Active
- Tipo de montaje:Chassis Mount
- Paquete / Caja:SOT-227-4, miniBLOC
- Paquete de dispositivo del proveedor:SOT-227
- Velocidad:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Tipo de diodo:Schottky
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:920 mV @ 100 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:3 mA @ 180 V
- Configuración de diodos:2 Independent
- Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):180 V
- Corriente rectificada promedio ( Io) (por diodo):100A
- Tiempo de recuperación inversa (trr):-
- Temperatura de funcionamiento - Unión:-40°C ~ 150°C
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.10.0080
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBR2X100A180 fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor es una empresa pionera y líder mundial en tecnología de carburo de silicio (SiC). Los principales fabricantes mundiales dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan a menor temperatura, más rápido y de forma más económica, y desempeñan un papel fundamental en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia. GeneSiC posee patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha, un mercado que se prevé que alcance más de 5000 millones de dólares en 2025. Nuestras principales fortalezas de diseño, proceso y tecnología añaden más valor al producto final de nuestros clientes, con métricas de rendimiento y costes que establecen nuevos estándares en la industria del carburo de silicio. En agosto de 2022, Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunció la adquisición de GeneSiC Semiconductor.
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