Comentario
日本語

Las imágenes son sólo para referencia.

Compartir

1 : $92.6640

El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

GeneSiC Semiconductor MBRT20040

DIODE MODULE 40V 100A 3TOWER
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :MBRT20040
Dasenic Número de pieza :MBRT20040-DS
Referencia de cliente :
Descripción : DIODE MODULE 40V 100A 3TOWER
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 92.6640$ 92.66
10+$ 81.2754$ 812.75
25+$ 92.6640$ 2316.6
50+$ 74.1584$ 3707.92
En stock: 1533
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 92.664
Total :$ 92.66
Entrega :
dhlupsfedex
Pago :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.

Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.

Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.

Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.

MBRT20040 información

  • GeneSiC Semiconductor MBRT20040 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:Three Tower
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Three Tower
  • スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Schottky
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:750 mV @ 100 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:1 mA @ 20 V
  • ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):40 V
  • 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):100A
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBRT20040 fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Productos relacionados

Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.

  • RFQ