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Global Power Technology-GPT G3S12010B
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
N.º de pieza del fabricante :G3S12010B
Fabricante :Global Power Technology-GPT
Dasenic Número de pieza :G3S12010B-DS
Ficha de datos :
G3S12010B Ficha de datos
G3S12010B Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 31.4800 | $ 31.48 |
| 10+ | $ 27.7280 | $ 277.28 |
En stock: 2237
MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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G3S12010B información
Global Power Technology-GPT G3S12010B especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AB
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 5 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 1200 V
- ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):39A (DC)
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH info available upon request
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G3S12010B fornecido por Global Power Technology-GPT
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) は、中国のシリコンカーバイド (SiC) パワーデバイスの産業化における先駆者の 1 つです。中国初の SiC パワーデバイスメーカーとして知られる GPT は、北京に完全な半導体工場を所有しています。生産ラインは、4/6 インチのウェハ製造に対応しています。国内初の SiC デバイス研究開発および生産プラットフォーム サービス企業として、GPT の生産ラインは、基本的なコア技術製品、SIC 成形製品、および複数の産業ソリューションをカバーしています。同社のコア製品は、SiC ショットキー ダイオードに代表されます。一連のシリコンカーバイド ショットキー ダイオード製品が量産されており、製品の品質は世界の同業他社の先進レベルに匹敵します。
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