1 / 1

1 : $1.3410

El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !

Global Power Technology-GPT G5S06504AT

Name: G5S06504AT
Brand: Global Power Technology-GPT
SKU: G5S06504AT-DS
Price: 1.3410 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

En stock: 5940

MOQ: 1

1 Niveles de precios

N.º de pieza del fabricante :G5S06504AT
Fabricante :Global Power Technology-GPT
Dasenic # :G5S06504AT-DS
Ficha de datos : G5S06504AT Ficha de datos PDF
Descripción : SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN
Paquete :-
PRECIO UNITARIO: $1.3410
Total: $1.34

Cantidad	PRECIO UNITARIO	Guardar
1-60	$1.3410	-

Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.

Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.

Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.

Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.

Global Power Technology-GPT G5S06504AT especificaciones técnicas, atributos, parámetros.

Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single

Estado del producto:Active

Tipo de montaje:Through Hole

Paquete / Caja:TO-220-2

Paquete de dispositivo del proveedor:TO-220AC

Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)

Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky

Corriente - Promedio Rectificado ( Io):11.6A (DC)

Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.6 V @ 4 A

Corriente - Fuga inversa @ Vr:50 µA @ 650 V

Capacitancia @ Vr, F:181pF @ 0V, 1MHz

Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):650 V

Tiempo de recuperación inversa (trr):0 ns

Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 175°C

Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

Estado de ALCANCE:REACH info available upon request

ECCN de EE. UU.:EAR99

HTS EE. UU.:8541.10.0080

Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant

Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

G5S06504AT proporcionado por Global Power Technology-GPT

Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) es uno de los pioneros en la industrialización de dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC) de China. Conocida como el primer fabricante de dispositivos de potencia de SiC en China, GPT posee una fábrica completa de semiconductores ubicada en Beijing. La línea de producción es compatible con la fabricación de obleas de 4/6 de pulgada. Como la primera empresa nacional de servicios de plataforma de producción e investigación y desarrollo de dispositivos de SiC, la línea de producción de GPT cubre productos de tecnología básica, productos de moldeo de SIC y múltiples soluciones industriales. Los productos principales de la empresa están representados por diodos Schottky de SiC. La serie de productos de diodos Schottky de carburo de silicio se han puesto en producción en masa, la calidad de los productos se puede comparar con el nivel avanzado de la misma industria en el mundo.