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Global Power Technology-GPT G5S12020BM

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :G5S12020BM
Dasenic Número de pieza :G5S12020BM-DS
Referencia de cliente :
Descripción : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
30+$ 10.9350$ 328.05
En stock: 5940
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 10.935
Total :$ 10.94
Entrega :
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Pago :
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G5S12020BM información

  • Global Power Technology-GPT G5S12020BM especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-247-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AB
  • スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 10 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:30 µA @ 1200 V
  • ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
  • 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):33A (DC)
  • 逆回復時間 (trr):0 ns
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G5S12020BM fornecido por Global Power Technology-GPT
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) は、中国のシリコンカーバイド (SiC) パワーデバイスの産業化における先駆者の 1 つです。中国初の SiC パワーデバイスメーカーとして知られる GPT は、北京に完全な半導体工場を所有しています。生産ラインは、4/6 インチのウェハ製造に対応しています。国内初の SiC デバイス研究開発および生産プラットフォーム サービス企業として、GPT の生産ラインは、基本的なコア技術製品、SIC 成形製品、および複数の産業ソリューションをカバーしています。同社のコア製品は、SiC ショットキー ダイオードに代表されます。一連のシリコンカーバイド ショットキー ダイオード製品が量産されており、製品の品質は世界の同業他社の先進レベルに匹敵します。
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