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Infineon Technologies BSP298H6327XUSA1
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
N.º de pieza del fabricante :BSP298H6327XUSA1
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :BSP298H6327XUSA1-DS
Ficha de datos :
BSP298H6327XUSA1 Ficha de datos
BSP298H6327XUSA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 1.5660 | $ 1.57 |
| 25+ | $ 1.5390 | $ 38.48 |
| 100+ | $ 1.4760 | $ 147.6 |
| 500+ | $ 1.4130 | $ 706.5 |
| 1000+ | $ 1.3320 | $ 1332 |
En stock: 3591
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.566
Total :$ 1.57
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BSP298H6327XUSA1 información
Infineon Technologies BSP298H6327XUSA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Estado del producto:Obsolete
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:TO-261-4, TO-261AA
- Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete de dispositivo del proveedor:PG-SOT223-4
- Disipación de potencia (máxima):1.8W (Ta)
- Tipo F E T:N-Channel
- Función F E T:-
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):400 V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:500mA (Ta)
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:3Ohm @ 500mA, 10V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4V @ 1mA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:-
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:400 pF @ 25 V
- Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):10V
- Vgs (máximo):±20V
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.29.0095
- Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BSP298H6327XUSA1 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) es un líder mundial en semiconductores para sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. Los productos semiconductores de la empresa incluyen ASIC, circuitos integrados de gestión de baterías, soluciones de relojes y temporización, protección contra descargas electroestáticas y sobretensiones, microcontroladores de memoria, soluciones de RF, seguridad y tarjetas inteligentes, sensores, transistores y diodos de señal pequeña, transceptores, conectividad inalámbrica, software y más. Estos productos se utilizan en aplicaciones de IoT, energía industrial ecológica, automoción, gestión de energía, soluciones de detección y seguridad. Infineon Technologies se fundó en 1999 como una escisión de Siemens AG. La empresa tiene su sede en Neubiberg, cerca de Múnich, Alemania, y cuenta con aproximadamente 56.200 empleados y 155 sucursales en todo el mundo.
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