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Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BPSA1
MOSFET MOD 1200V 25A
- N.º de pieza del fabricante :DF23MR12W1M1B11BPSA1
- Fabricante :Infineon Technologies
- Dasenic Número de pieza :DF23MR12W1M1B11BPSA1-DS
- Ficha de datos :
DF23MR12W1M1B11BPSA1 Ficha de datos - Descripción : MOSFET MOD 1200V 25A
- Paquete :-
- Cantidad :Precio unitario : $ 68.049Total : $ 68.05
- El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
- Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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En stock: 1716
( MOQ : 1 PCS )Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1 + | $ 68.0490 | $ 68.05 |
| 25 + | $ 66.6900 | $ 1667.25 |
| 100 + | $ 63.9630 | $ 6396.30 |
| 500 + | $ 61.2450 | $ 30622.50 |
| 1000 + | $ 57.8430 | $ 57843.00 |
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Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BPSA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Estado del producto:Active
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Paquete / Caja:Module
Potencia - Máxima:20mW
Paquete de dispositivo del proveedor:AG-EASY1BM-2
Tipo F E T:2 N-Channel (Dual)
Función F E T:Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:25A (Tj)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:5.55V @ 10mA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:62nC @ 15V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1840pF @ 800V
Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
Estado de ALCANCE:REACH is not affected
ECCN de EE. UU.:EAR99
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BPSA1
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) es un líder mundial en semiconductores para sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. Los productos semiconductores de la empresa incluyen ASIC, circuitos integrados de gestión de baterías, soluciones de relojes y temporización, protección contra descargas electroestáticas y sobretensiones, microcontroladores de memoria, soluciones de RF, seguridad y tarjetas inteligentes, sensores, transistores y diodos de señal pequeña, transceptores, conectividad inalámbrica, software y más. Estos productos se utilizan en aplicaciones de IoT, energía industrial ecológica, automoción, gestión de energía, soluciones de detección y seguridad. Infineon Technologies se fundó en 1999 como una escisión de Siemens AG. La empresa tiene su sede en Neubiberg, cerca de Múnich, Alemania, y cuenta con aproximadamente 56.200 empleados y 155 sucursales en todo el mundo.
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