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Infineon Technologies FD-DF80R12W1H3_B52
IGBT MOD 1200V 40A 215W
N.º de pieza del fabricante :FD-DF80R12W1H3_B52
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :FD-DF80R12W1H3_B52-DS
Ficha de datos :
FD-DF80R12W1H3_B52 Ficha de datos
FD-DF80R12W1H3_B52 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT MOD 1200V 40A 215W
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FD-DF80R12W1H3_B52 información
Infineon Technologies FD-DF80R12W1H3_B52 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:215 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 構成:Single
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):40 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:1 mA
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.4V @ 15V, 40A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:235 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:Yes
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FD-DF80R12W1H3_B52 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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