Las imágenes son sólo para referencia.
1 : $3.0060
El registro por primera vez con pedidos superiores a $2000 recibe un cupón de $100. Regístrate ahora !
Infineon Technologies IMW120R140M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
N.º de pieza del fabricante :IMW120R140M1HXKSA1
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :IMW120R140M1HXKSA1-DS
Ficha de datos :
IMW120R140M1HXKSA1 Ficha de datos
IMW120R140M1HXKSA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 30+ | $ 3.0060 | $ 90.18 |
| 480+ | $ 2.9520 | $ 1416.96 |
| 720+ | $ 2.9250 | $ 2106 |
| 960+ | $ 2.9070 | $ 2790.72 |
| 1200+ | $ 2.8440 | $ 3412.8 |
En stock: 14400
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 3.006
Total :$ 3.01
Entrega :
Pago :
Le ayudamos a ahorrar costes y tiempo.
Estricta inspección de calidad y paquete confiable de productos.
Entrega rápida y confiable para ahorrar tiempo.
Proporcionar servicio postventa de garantía de 365 días.
IMW120R140M1HXKSA1 información
Infineon Technologies IMW120R140M1HXKSA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:TO-247-3
- Tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
- Paquete de dispositivo del proveedor:PG-TO247-3-41
- Disipación de potencia (máxima):94W (Tc)
- Tipo F E T:N-Channel
- Función F E T:-
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):1200 V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:19A (Tc)
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:182mOhm @ 6A, 18V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:5.7V @ 2.5mA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:13 nC @ 18 V
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:454 pF @ 800 V
- Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):15V, 18V
- Vgs (máximo):+23V, -7V
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IMW120R140M1HXKSA1 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) es un líder mundial en semiconductores para sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. Los productos semiconductores de la empresa incluyen ASIC, circuitos integrados de gestión de baterías, soluciones de relojes y temporización, protección contra descargas electroestáticas y sobretensiones, microcontroladores de memoria, soluciones de RF, seguridad y tarjetas inteligentes, sensores, transistores y diodos de señal pequeña, transceptores, conectividad inalámbrica, software y más. Estos productos se utilizan en aplicaciones de IoT, energía industrial ecológica, automoción, gestión de energía, soluciones de detección y seguridad. Infineon Technologies se fundó en 1999 como una escisión de Siemens AG. La empresa tiene su sede en Neubiberg, cerca de Múnich, Alemania, y cuenta con aproximadamente 56.200 empleados y 155 sucursales en todo el mundo.
Infineon Technologies Productos relacionados
Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.
