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Infineon Technologies IMZ120R350M1HXKSA1
N.º de pieza del fabricante :IMZ120R350M1HXKSA1
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :IMZ120R350M1HXKSA1-DS
Ficha de datos : IMZ120R350M1HXKSA1 Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
En stock: 11520
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IMZ120R350M1HXKSA1 información
Infineon Technologies IMZ120R350M1HXKSA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:TO-247-4
- Tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
- Paquete de dispositivo del proveedor:PG-TO247-4-1
- Disipación de potencia (máxima):60W (Tc)
- Tipo F E T:N-Channel
- Función F E T:-
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):1200 V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:4.7A (Tc)
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:350mOhm @ 2A, 18V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:5.7V @ 1mA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:5.3 nC @ 18 V
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:182 pF @ 800 V
- Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):15V, 18V
- Vgs (máximo):+23V, -7V
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:Vendor omitted MSL Rating information
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.29.0095
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IMZ120R350M1HXKSA1 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) es un líder mundial en semiconductores para sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. Los productos semiconductores de la empresa incluyen ASIC, circuitos integrados de gestión de baterías, soluciones de relojes y temporización, protección contra descargas electroestáticas y sobretensiones, microcontroladores de memoria, soluciones de RF, seguridad y tarjetas inteligentes, sensores, transistores y diodos de señal pequeña, transceptores, conectividad inalámbrica, software y más. Estos productos se utilizan en aplicaciones de IoT, energía industrial ecológica, automoción, gestión de energía, soluciones de detección y seguridad. Infineon Technologies se fundó en 1999 como una escisión de Siemens AG. La empresa tiene su sede en Neubiberg, cerca de Múnich, Alemania, y cuenta con aproximadamente 56.200 empleados y 155 sucursales en todo el mundo.
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