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  • Infineon Technologies IPG20N06S4L26AATMA1

    MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :IPG20N06S4L26AATMA1
  • Fabricante :Infineon Technologies
  • Dasenic Número de pieza :IPG20N06S4L26AATMA1-DS
  • Ficha de datos :pdf download IPG20N06S4L26AATMA1 Ficha de datos
  • Descripción : MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
  • Paquete :-
  • Cantidad :
    Precio unitario : $ 0.4734Total : $ 0.47
  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pago :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
En stock: 17997
( MOQ : 1 PCS )
Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
CantidadPrecio unitarioTotal
77 +$ 0.4734$ 36.45
100 +$ 0.4077$ 40.77
200 +$ 0.3960$ 79.20
500 +$ 0.3348$ 167.40
1000 +$ 0.3096$ 309.60

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Infineon Technologies IPG20N06S4L26AATMA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Estado del producto:Active
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount, Wettable Flank
Paquete / Caja:8-PowerVDFN
Potencia - Máxima:33W
Paquete de dispositivo del proveedor:PG-TDSON-8-10
Tipo F E T:2 N-Channel (Dual)
Función F E T:Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):60V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:20A
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:26mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.2V @ 10µA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:20nC @ 10V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1430pF @ 25V
Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
Estado de ALCANCE:REACH is not affected
ECCN de EE. UU.:EAR99
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Infineon Technologies IPG20N06S4L26AATMA1
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) es un líder mundial en semiconductores para sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. Los productos semiconductores de la empresa incluyen ASIC, circuitos integrados de gestión de baterías, soluciones de relojes y temporización, protección contra descargas electroestáticas y sobretensiones, microcontroladores de memoria, soluciones de RF, seguridad y tarjetas inteligentes, sensores, transistores y diodos de señal pequeña, transceptores, conectividad inalámbrica, software y más. Estos productos se utilizan en aplicaciones de IoT, energía industrial ecológica, automoción, gestión de energía, soluciones de detección y seguridad. Infineon Technologies se fundó en 1999 como una escisión de Siemens AG. La empresa tiene su sede en Neubiberg, cerca de Múnich, Alemania, y cuenta con aproximadamente 56.200 empleados y 155 sucursales en todo el mundo.
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