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Infineon Technologies IRF100P218XKMA1

Name: IRF100P218XKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: DS-6227326
Price: 12.12 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC

N.º de pieza del fabricante :IRF100P218XKMA1

Fabricante :Infineon Technologies

Dasenic Número de pieza :IRF100P218XKMA1-DS

Ficha de datos :

IRF100P218XKMA1 Ficha de datos

Referencia de cliente :

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Descripción : MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC

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IRF100P218XKMA1 información

Infineon Technologies IRF100P218XKMA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Obsolete
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Paquete / Caja:TO-247-3
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete de dispositivo del proveedor:TO-247AC
Disipación de potencia (máxima):556W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Función F E T:-
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):100 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:209A (Tc)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:1.28mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:3.8V @ 278µA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:555 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:25000 pF @ 50 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):6V, 10V
Vgs (máximo):±20V
Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
ECCN de EE. UU.:EAR99
HTS EE. UU.:8541.29.0095
Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

Descargar hojas de datos y documentación del fabricante para Infineon Technologies IRF100P218XKMA1
Datasheet:
IRF100P218XKMA1,

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FedEx	3-7 business days
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IRF100P218XKMA1 fornecido por Infineon Technologies

Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) es un líder mundial en semiconductores para sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. Los productos semiconductores de la empresa incluyen ASIC, circuitos integrados de gestión de baterías, soluciones de relojes y temporización, protección contra descargas electroestáticas y sobretensiones, microcontroladores de memoria, soluciones de RF, seguridad y tarjetas inteligentes, sensores, transistores y diodos de señal pequeña, transceptores, conectividad inalámbrica, software y más. Estos productos se utilizan en aplicaciones de IoT, energía industrial ecológica, automoción, gestión de energía, soluciones de detección y seguridad. Infineon Technologies se fundó en 1999 como una escisión de Siemens AG. La empresa tiene su sede en Neubiberg, cerca de Múnich, Alemania, y cuenta con aproximadamente 56.200 empleados y 155 sucursales en todo el mundo.